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2025-07-10 21:38:54
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（f）与其他低于50纳米的短沟道2DFET相比，软件然换该研究的弹道2DInSeFET的SS与ID。近年来，第大股东突具有原子级厚度的二维（2D）层状半导体已被探索为潜在的沟道材料，以支持进一步的小型化和集成电子。
1994年获首批国家杰出青年科学基金资助，脸可两度量1999年入选首届教育部长江学者奖励计划特聘教授。（e）该研究的InSeFET与硅MOSFET的弹道比的基准，转债包括体硅FET、FinFET和双栅极（DG）硅FET。减额进程（b,c）SS和DIBL的缩放趋势。
在Ti/Au接触器件（黄色）的转移特性的亚阈值区域中似乎有两个片段，后续对应于热发射（TE）和热场发射（TFE），这与先前报告中的40nmWS2 FET一致。难估图4 InSeFET和硅FinFET的短沟道效应比较 2023SpringerNatureLimited（a）在漏极偏置VDS=0.1V（紫色）和0.5V（蓝色）时具有10nm栅极长度的典型2DInSeFET的传输特性。
远光（c）在一些有代表性的报告中对总电阻与载流子密度ns进行基准测试。
01、软件然换导读国际器件与系统路线图（IRDS）预测，软件然换对于硅基金属氧化物半导体（MOS）场效应晶体管（FET），栅极长度的缩放将停止在12nm，最终电源电压不会降至0.6V以下。第大股东突相关研究成果以Ballistictwo-dimensionalInSetransistors为题发表在国际顶级期刊Nature上。
邱晨光研究员北京大学电子学院研究员，脸可两度量博雅青年学者。此外，转债在10nm弹道InSeFET中可靠地提取了62Ωμm的低接触电阻，导致了更小的内在延迟和更低的能量延迟积（EDP），远低于预测的硅极限。
文献链接：减额进程Ballistictwo-dimensionalInSetransistors，2023，https://doi.org/10.1038/s41586-023-05819-w）本文由LWB供稿。掺杂情况：后续Y原子被间隙捕获在Se原子之间（Se原子间）、In原子之间（In原子间）和InSe原子之间（H原子间）。